Kvantitavní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovaného náboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony = Quantitative mapping of dopant in semiconductor using injected charge contrast in very-electron scanning electron microscope : diplomová práce /
| Typ dokumentu: | Kniha |
|---|---|
| Jazyk: |
čeština |
| Vydavatel: |
Brno :
[vl. n.],
2009.
|
| Předmět: | |