Erratum: 'Impact of surface treatment on metal-work-function dependence of barrier height of GaN-on-GaN Schottky barrier diode' [AIP Adv. 8, 115011 (2018)]
Autor: | Kazuki Isobe, Masamichi Akazawa |
---|---|
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2021 |
Předmět: | |
Zdroj: | AIP Advances, Vol 11, Iss 2, Pp 029901-029901-1 (2021) |
Druh dokumentu: | article |
ISSN: | 2158-3226 |
DOI: | 10.1063/5.0041641 |
Databáze: | Directory of Open Access Journals |
Externí odkaz: |