Erratum: 'Impact of surface treatment on metal-work-function dependence of barrier height of GaN-on-GaN Schottky barrier diode' [AIP Adv. 8, 115011 (2018)]

Autor: Kazuki Isobe, Masamichi Akazawa
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: AIP Advances, Vol 11, Iss 2, Pp 029901-029901-1 (2021)
Druh dokumentu: article
ISSN: 2158-3226
DOI: 10.1063/5.0041641
Databáze: Directory of Open Access Journals