The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon

Autor: P. Lefaucheux, Aurélie Girard, T. Tillocher, S. Tahara, Christophe Cardinaud, G. Antoun, Remi Dussart, Kaoru Maekawa, J. Faguet, K. Yatsuda, K. Yamazaki
Přispěvatelé: Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés (GREMI), Université d'Orléans (UO)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), Tokyo Electron (TEL), TEL Technology Center, America, LLC
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2019
Předmět:
Zdroj: Japanese Journal of Applied Physics
Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩
ISSN: 0021-4922
DOI: 10.7567/1347-4065/ab1639⟩
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE