MoSe 2 /n‐GaN Heterojunction Induced High Photoconductive Gain for Low‐Noise Broadband Photodetection from Ultraviolet to Near‐Infrared Wavelengths

Autor: Harmanpreet Kaur Sandhu, John Wellington John, Alka Jakhar, Abhishek Sharma, Alok Jain, Samaresh Das
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: Advanced Materials Interfaces. 9:2102200
ISSN: 2196-7350
DOI: 10.1002/admi.202102200
Databáze: OpenAIRE