MoSe 2 /n‐GaN Heterojunction Induced High Photoconductive Gain for Low‐Noise Broadband Photodetection from Ultraviolet to Near‐Infrared Wavelengths
Autor: | Harmanpreet Kaur Sandhu, John Wellington John, Alka Jakhar, Abhishek Sharma, Alok Jain, Samaresh Das |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | Advanced Materials Interfaces. 9:2102200 |
ISSN: | 2196-7350 |
DOI: | 10.1002/admi.202102200 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |