Epitaxní růst sloučenin A3B5 z kapalné fáze pro polovodičové injekční lasery. Část I., Disertační práce k získání vědecké hodnosti doktora technických věd Část II., Aplikační využití epitaxních vrstev sloučenin A3B5 pěstovaných z kapalné fáze : příloha /
Epitaxní růst sloučenin A3B5 z kapalné fáze patří k základním technologiím vytváření heterostruktur pro injekční zdroje záření. Konkrétně jsou uvedeny dva nejužívanější systémy: (Ga, Al) As/GaAs a (In, Ga) (As, P)/InP.
| Typ dokumentu: | Kniha |
|---|---|
| Jazyk: |
čeština |
| Vydavatel: |
Praha :
ČSAV. Ústav radiotechniky a elektroniky,
1988.
|
| Předmět: | |
|
|