Pěstování GaN na safíru pomocí mezivrstvy deponované při nízkých teplotách a realizace GaN typu p s využitím dopování Mg s následným ozářením elektronovým svazkem o nízké energii. Přednáška u příležitosti udělení Nobelovy ceny za fyziku za rok 2014 /

Hlavní autor:
Amano, Hiroshi ( Autor )
Typ dokumentu: Článek
Jazyk: čeština
ISSN: 0009-0700
Zdroj: Československý časopis pro fyziku : založen r. 1872 jako Časopis pro pěstování matematiky a fysiky: Roč. 66, č. 1 (2016), s. 23-27.
Předmět:
Externí odkaz: Získat plný text