Anodické leptání GaAs a (GaA1)As/GaAS : výzkumná zpráva /
Ve zprávě jsou uvedeny výsledky anodického leptání GaAs a dvojité heterostruktury (GaA1)As/GaAs. Anodickým leptáním bylo dosaženo vyleptání mezikruží s pravidelným sférickým tvarem a sklonem 45 stupňů.
Hlavní autor: |
Berková, Daniela
(
Autor )
|
---|---|
Další autoři: |
Kohout, Jindřich
(
Autor )
|
Typ dokumentu: | Kniha |
Jazyk: |
čeština |
Vydavatel: |
Praha :
ČSAV. Ústav radiotechniky a elektroniky,
1986.
|
Předmět: | |