Anodické leptání GaAs a (GaA1)As/GaAS : výzkumná zpráva /

Ve zprávě jsou uvedeny výsledky anodického leptání GaAs a dvojité heterostruktury (GaA1)As/GaAs. Anodickým leptáním bylo dosaženo vyleptání mezikruží s pravidelným sférickým tvarem a sklonem 45 stupňů.

Hlavní autor:
Berková, Daniela ( Autor )
Další autoři:
Kohout, Jindřich ( Autor )
Typ dokumentu: Kniha
Jazyk: čeština
Vydavatel: Praha : ČSAV. Ústav radiotechniky a elektroniky, 1986.
Předmět: