Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
| Autor: | Jouvet, Nicolas |
|---|---|
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2012 |
| Předmět: |
Electronique
Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée Composant à un électron Transistor à un électron - SET Nanotechnologie Nanodamascène Caractérisation électrique Electronics MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor Single Electron Device Single-electron Transistor - SET Nanotechnology Nanodamascene Electrical characterisation 621.381 520 72 |
| Druh dokumentu: | Text |
| Popis: | Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits électriques. Cependant, la combinaison des composants SETs et MOS permet de pallier à ce problème, ouvrant la voie à des circuits à très faible puissance dissipée, et à haute densité d’intégration. Cette thèse se propose d’employer pour la réalisation de SETs dans le back-end-of-line (BEOL), c'est-à-dire dans l’oxyde encapsulant les CMOS, le procédé de fabrication nanodamascène, mis au point par C. Dubuc. This study deals with the hybrid integration of Single Electron Transistors (SET) on a CMOS technology node. SET devices present high potentiels, particularly in terms of energy efficiency, but can't completely replace CMOS in electrical circuits. However, SETs and CMOS devices combination can solve this issue, opening the way toward very low operating power circuits, and high integration density. This thesis proposes itself to use for Back-End-Of-Line (BEOL) SETs realization, meaning in the oxide encapsulating CMOS, the nanodamascene fabrication process devised by C. Dubuc. |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
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