Heteroepitaxial Growth of High-Quality AIN on SiC by Molecular-Beam Epitaxy toward Electronic Device Application
| Autor: | Onojima, Norio |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2004 |
| Předmět: | |
| Druh dokumentu: | DFAM<br />Thesis or Dissertation |
| DOI: | 10.14989/doctor.k10860 |
| Popis: | Kyoto University (京都大学) 0048 甲第10860号 工博第2391号 新制||工||1311(附属図書館) UT51-2004-G707 学位規則第4条第1項該当 |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| Externí odkaz: |
|