Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC
| Autor: | Kanegae, Kazutaka |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Druh dokumentu: | Doctoral Thesis |
| DOI: | 10.14989/doctor.k23909 |
| Popis: | 甲第23909号 工博第4996号 新制||工||1780(附属図書館) 学位規則第4条第1項該当 Doctor of Philosophy (Engineering) Kyoto University DFAM |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| Externí odkaz: |
|