Short Channel Effects and Mobility Improvement in SiC MOSFETs

Autor: Tachiki, Keita
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2022
Předmět:
Druh dokumentu: Doctoral Thesis
DOI: 10.14989/doctor.k23905
Popis: 甲第23905号
工博第4992号
新制||工||1779(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
Databáze: Networked Digital Library of Theses & Dissertations