Processing and reliability studies on hafnium oxide and hafnium silicate for the advanced gate dielectric application

Autor:	Choi, Rino
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2004
Předmět:	Dielectrics Hafnium compounds Hafnium oxide Silicates Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Druh dokumentu:	Diplomová práce
Popis:	text
Databáze:	Networked Digital Library of Theses & Dissertations
Externí odkaz:	http://hdl.handle.net/2152/1907 Zobrazit plný text záznamu