Investigation of InAlN/GaN and P-GaN/AlGaN/GaN hetero-structure fields effect transistors

Autor:	Li Yi Peng, 彭立儀
Rok vydání:	2016
Druh dokumentu:	學位論文 ; thesis
Popis:	104
Databáze:	Networked Digital Library of Theses & Dissertations
Externí odkaz:	http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/nqha6z Zobrazit plný text záznamu