High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess

Autor: Duran, Halit C. Duran, Halit Celâleddin.
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 1998
Předmět:
Popis: Diss. no. 12900 techn. sc. SFIT Zurich.
Literaturverz.
Databáze: Networked Digital Library of Theses & Dissertations