Low temperature modeling of I-V characteristics and RF small signal parameters of SiGe HBTs

Autor:	Xu, Ziyan, Niu, Guofu.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2009
Předmět:	Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (SiGe HBT) technology. Bipolar transistors. Bipolar transistors
Popis:	Thesis--Auburn University, 2009. Vita. Includes bibliographic references (p.64-66).
Databáze:	Networked Digital Library of Theses & Dissertations
Externí odkaz:	http://hdl.handle.net/10415/1925 Zobrazit plný text záznamu