Growing of GaN on vicinal SiC surface by molecular beam epitaxy

Autor: Cheung, Sau-ha.
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2002
Předmět:
Zdroj: View the Table of Contents & Abstract.
Popis: Thesis (Ph. D.)--University of Hong Kong, 2002.
Includes bibliographical references (leaves 68-71).
Databáze: Networked Digital Library of Theses & Dissertations