Étude de la faisabilité de circuits mémoire SRAM ultra basse tension en technologie SOI partiellement désertée

Autor: Thomas, Olivier
Jazyk: francouzština
Rok vydání: 2005
Popis: Th. doct.--Électronique et communications--Paris--ENST, 2004.
Bibliogr. p. 215-222.
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