Growth and characterization of SiC and GaN

Autor:	Ciechonski, Rafal R.
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2007
Předmět:	Halvledarkomponenter. Tunna skikt (ytfysik)
Zdroj:	Sammanfattning och ramberättelse från Linköping University Electronic Press.
Popis:	Diss. Linköping : Linköpings universitet, 2007.
Databáze:	Networked Digital Library of Theses & Dissertations
Externí odkaz:	http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-10314 Zobrazit plný text záznamu