Obtenção de tetracloreto de silicio com grau eletronico a partir de materias primas nacionais
| Autor: | Baranauskas, Vitor, 1952-2014 |
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| Jazyk: | portugalština |
| Rok vydání: | 1979 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Repositório Institucional da UnicampUniversidade Estadual de CampinasUNICAMP. |
| Druh dokumentu: | masterThesis |
| Popis: | Orientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio Mammana Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas Made available in DSpace on 2018-07-19T09:03:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Baranauskas_Vitor_M.pdf: 2427981 bytes, checksum: 807fec11c80b9dc781ff24ca5783b046 (MD5) Previous issue date: 1979 Os circuitos integrados são geralmente construidos em camadas de silício crescidas pela redução do tetracloreto de silício (SiCl4) com hidrogênio sobre substratos de silício. (formula). O tetracloreto de silício para esta aplicação deve ter pureza elevada devido a influência desta nas propriedades eletricas do sil ício produzido. Neste trabalho descrevemos o método de obtenção deste material a partir da cloração direta de silicio metalurgico (~98% Si) e posterior purificação. (formula) Tanto o cloro quanto o silício de grau metalurgico empregados são materias primas nacionais de custo relativamente baixo. O refino do tetracloreto de silício foi feito por adsorção e destilações sucessivas. A identificação do composto foi realizada por espectroscopia de massa e de infravermelho.As camadas de silício produzidas a partir deste tetracloreto apresentaram condutividade tipo P e a medida de resistividade por quatro pontas indicou uma concentração líquida de impurezas eletricamente ativas da ordem de 10 ppb. Mediante a construção de diodos com estas lâminas e medida da característica capacitância versus tensão reversa (C-V),o resultado da,concentração de impurezas foi confirmado. Para fins de comparação os mesmos processos e caracterizações foram realizados com tetracloreto de silicio importado não se notando diferenças significativas. O tetracloreto de silício produzido, com dopagem da ordem de 1014 atomos de purezas/cm3 pode ser convenientemente empregado par a construção de vários tipos de circuitos integrados e outros dispositivos particulares como fibras opticas, celulas solares, etc. Not informed. Mestrado Mestre em Engenharia Elétrica |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
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