Propriedades termoel?tricas de filmes nanom?tricos de ligas de tel?rio, bismuto, sel?nio e antim?nio produzidos por Magnetron sputtering DC
| Autor: | Costa, Neymar Pereira da |
|---|---|
| Jazyk: | portugalština |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Repositório Institucional da UFRNUniversidade Federal do Rio Grande do NorteUFRN. |
| Druh dokumentu: | Doctoral Thesis |
| Popis: | Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2017-12-12T19:14:15Z No. of bitstreams: 1 NeymarPereiraDaCosta_TESE.pdf: 7528094 bytes, checksum: a890acb318c8748f5765c7a2bb15e3c4 (MD5) Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2017-12-14T18:05:44Z (GMT) No. of bitstreams: 1 NeymarPereiraDaCosta_TESE.pdf: 7528094 bytes, checksum: a890acb318c8748f5765c7a2bb15e3c4 (MD5) Made available in DSpace on 2017-12-14T18:05:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NeymarPereiraDaCosta_TESE.pdf: 7528094 bytes, checksum: a890acb318c8748f5765c7a2bb15e3c4 (MD5) Previous issue date: 2017-09-14 Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior (CAPES) A presente tese traz um m?todo de produ??o de alvos semicondutores cujo material ? proveniente de m?dulos termoel?tricos comerciais. Os alvos t?m a finalidade e foram utilizados em sistema magnetron sputtering. Os materiais que comp?em os alvos s?o ligas tern?rias semicondutoras, uma de telureto de bismuto e antim?nio, que se caracteriza como tipo P e a outra ligada ? um seleneto de bismuto e tel?rio, cuja composi??o o caracteriza como tipo N. Estas ligas dos sistemas Bi2Te3-ySey e Bi2-xSbxTe3 apresentam propriedades termoel?tricas de alto desempenho dentro da faixa de temperatura entorno da ambiente. A partir desses alvos, foram produzidos filmes termoel?tricos de espessura nanom?trica, em dois lotes, cujas amostras foram submetidas a tratamentos t?rmicos ap?s sua produ??o. Foram investigadas as propriedades termoel?tricas dos filmes, ? temperatura ambiente, no sistema de medidas de propriedades f?sicas, o PPMS. Para isso foi utilizado a op??o de transporte t?rmico TTO, o qual possibilita a aquisi??o de dados de grandezas f?sicas como o coeficiente Seebeck ?, a condutividade t?rmica ? e a resistividade el?trica ?. Com essas grandezas reunidas, foi calculado o Fator de Pot?ncia e a Figura de M?rito que ? um fator adimensional que determina o quanto o material ? promissor para aplica??es em convers?o de energia e refrigera??o termoel?trica. Medidas de voltagem por corrente pelo m?todo quatro pontas colinear, foram realizadas e mostraram um indicativo de utiliza??o para o semicondutor tipo P como sensor de chaveamento t?rmico. Uma importante perspectiva ? o desenvolvimento de um substrato, utilizando os filmes como termoelementos planares e assim, funcionar como dispositivo termoel?trico, capaz de promover gradientes t?rmicos em aplica??es a outros sistemas como os magneto galvanom?tricos. |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
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