Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices
| Autor: | Wang, Rui Ning |
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| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: |
MBE
Phasenwechselmaterial GeTe Sb2Te3 GeSbTe Chalkogenide Übergitter Röntgenstrukturanalyse RHEED Raman-Spektroskopie Resonanzstruktur Peierls-Instabilität Vermischung phase-change materials chalcogenide superlattice X-ray diffraction reflection high-energy electron diffraction Raman spectroscopy resonant bonding Peierls distorsion intermixing 530 Physik UP 7550 ddc:530 |
| Druh dokumentu: | Doctoral Thesis |
| DOI: | 10.18452/18135 |
| Popis: | Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden. The growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion. |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| Externí odkaz: |
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