Molecular beam epitaxy grown III-nitride materials for high-power and high-temperture applications : impact of nucleation kinetics on material and device structure quality

Autor:	Namkoong, Gon
Rok vydání:	2003
Předmět:	Bipolar transistors Surfaces Epitaxial growth Gallium nitride
Druh dokumentu:	Dissertation
Databáze:	Networked Digital Library of Theses & Dissertations
Externí odkaz:	http://hdl.handle.net/1853/16426 Zobrazit plný text záznamu