Mikromechanischer Prozess zur Herstellung mehrlagiger 3D-MEMS (EPyC-Prozess)
| Autor: | Louriki, Latifa |
|---|---|
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: |
3D MEMS
Epitaxie EPyC Prozess Silizium Halbleitertechnologie MEMS Prozess Silizium Opferschichttechnik Siliziumoxid Opferschichttechnik Trockenätzen PECVD LPCVD Laservibrometer SF6/XF2 DRIE-Prozess info:eu-repo/classification/ddc/600 ddc:600 info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530 info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540 info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620 info:eu-repo/classification/ddc/670 ddc:670 Mikrosystemtechnik MEMS Opferschicht Epitaxie |
| Druh dokumentu: | Text<br />Doctoral Thesis |
| Popis: | In der vorliegenden Dissertation wird die Entwicklung eines MEMS Herstellungsverfahrens beschrieben. Der Bosch patentierte EPyC-Prozess bietet die Möglichkeit komplexe MEMS-Strukturen mit hoher Effektivität auf engem Raum herzustellen. Zielsetzung dieser Arbeit ist die Untersuchung und Optimierung der EPyC-Einzelprozesse, sowie der Aufbau eines Mikrospiegelantriebs mit 40 μm hohen Elektrodenfingern für hohe z-Auslenkungen. Die Herstellung von MEMS-Strukturen mit dem EPyC-Prozess erfordert eine gute elektrische und mechanische Funktionalität der dicken epitaktischen Siliziumschichten. Durch Wiederholung der EPyC-Zyklen entsteht eine 3D-Opferstruktur. Die Herausforderung besteht darin, hohe Volumina an Polysilizium am Ende des Prozesses vollständig zu entfernen. Durch das Wiederholen von fünf EPyC Zyklen wurde der Mikrospiegelantrieb mit 40 μm hohen vertikalen Kammelektroden erfolgreich hergestellt. Anschließend wurde der Mikrospiegelantrieb mit dem optimierten Silizium-Ätzprozess in zwei Schritten freigestellt. Damit der Mikrospiegelantrieb mechanisch beweglich und elektrisch funktional wird, wurde die SiO2-Passivierung auf den Funktionsstrukturen mittels HF-Gasphasenätzen erfolgreich entfernt. Die elektrischen und mechanischen Funktionalitäten des Mikrospiegelantriebes wurden mittels Laservibrometer geprüft und bestätigt.:1 Einleitung 1 1.1 Stand der Technik 3 1.2 Zielsetzung 6 1.3 EPyC-Prozess 7 2 Methoden 16 2.1 Abscheideverfahren 16 2.1.1 Chemische Depositionsverfahren 16 2.1.2 LPCVD-Verfahren 17 2.1.3 Thermische Oxidation 22 2.1.4 Kathodenstrahlzerstäubung (Sputtern) 23 2.2 Silizium Dotieren 24 2.3 Strukturieren von Silizium mit dem DRIE-Prozess (Deep Reactive Ion Etching) 24 2.4 Strukturieren von dielektrischen Schichten: Reaktiven Ionenätzen (RIE) 27 2.5 Gasphasenätzen von Oxid mit HF-Dampf 28 2.6 Isotopes Silizium-Opferschicht Trockenätzen 28 2.6.1 Plasmaloses isotropes Siliziumätzen mit Xenondifluorid 28 2.6.2 Plasmaunterstütztes isotropes Siliziumätzen mit Schwefelhexafluorid 31 2.7 Charakterisierung der abgeschiedenen Schichten 31 2.7.1 Kristallstruktur 31 2.7.2 Mechanische Charakterisierung 33 2.7.3 Elektrische Charakterisierung 37 2.8 Elektrische und mechanische Charakterisierung der hergestellten 3D-MEMS Struktur 38 3 Ergebnisse 41 3.1 Ablauf des Herstellungsprozesses eines einzelnen EPyC-Zyklus mit unterschiedlich dicken Epi und ihre Charakterisierung 41 3.1.1 Ablauf der Abscheidung eines einzelnen EPyC-Zyklus 44 3.1.2 Charakterisierung der abgeschiedenen Schichten 50 3.1.2.3.1 Epi-Schicht (𝒅 = 𝟐𝟎 μ𝒎) 61 3.1.3 DRIE-Prozess für dicke Epi-Schichten 64 3.1.4 Trench-Verfüllung 69 3.1.5 Siliziumopferschichttechnik 86 3.2 Herstellung eines Mikrospiegelantriebs mittels fünf EPyC Zyklen 105 3.2.1 Ablauf der Mikrospiegelantriebsherstellung mittels EPyC-Prozesses 106 3.2.2 Charakterisierung des hergestellten Mikrospiegelantriebs 115 4 Zusammenfassung Abbildungsverzeichnis Tabellenverzeichnis Eigene Veröffentlichungen Thesen |
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