Untersuchungen zum Reaktionsverhalten kristalliner Siliziumoberflächen in HF-basierten Ätzlösungen
| Autor: | Patzig-Klein, Sebastian |
|---|---|
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: |
info:eu-repo/classification/ddc/540
ddc:540 Kristallines Silicium Nasschemische Halbleiterätzverfahren Nitrosylionen Elektrochemisches Abtragen Flusssäure Salpetersäure Nitrosylkation crystalline silicon wet chemical semiconductor etching processes nitrosonium ions electrochemical etching hydrofluoric acid nitric acid |
| Druh dokumentu: | Text<br />Doctoral Thesis |
| Popis: | Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der grundlegenden Untersuchung von Reaktionsmustern kristalliner Si-Oberflächen in HF-basierten Lösungen. Ausgehend von den industriell genutzten HF-HNO3-H2O-Gemischen wurden wisher wenig untersuchte HF/HNO3-Konzentrationsverhältnisse, die durch gelöste Stickoxide bedingten Folgereaktionen sowie der PH-Wert als Steuerparameter zur Aufarbeitung feinkörniger Si-Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm) identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle der NO+-Ionen wurde durch Untersuchung der spezifischen Reaktionsmuster an kristallinen as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Daten (FT-IR-, Raman-, NMR-Spektroskopie, IC, REM-EDX, AFM) gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse und erschließen neue Anwendungsfelder. |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| Externí odkaz: |
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