Circuits intégrés amplificateurs à base de transistors HEMT pour les transmissions numériques à très haut débit (>=40 Gbit/s)
| Autor: | MELIANI, Chafik |
|---|---|
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2003 |
| Předmět: |
[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Electronique Communications optiques Amplificateurs large bande High Electron Mobility Transistor (HEMT) Circuits intégrés rapides Technologies InP GaAs Driver de modulateur Distribués Electronics Optical communications Broadband amplifiers Very high speed integrated circuits InP GaAs Technologies modulator drivers Distributed |
| Druh dokumentu: | Diplomová práce |
| Popis: | La systématisation de la conversion analogique/numérique a eu pour effet d'uniformiser le mode de transmission de données aux transmissions numériques ; et notamment sur fibre optique. Dans ce cadre, cette thèse traite des méthodologies de conception et faisabilité de circuits amplificateurs de signaux rapides. Après l'étude de l'effet des éléments parasites sur les structures amplificatrices de base (spécifiquement, les problèmes de chemins de masse, et de référencement de signaux d'entrée), la théorie de distribution est appliquée à la technologie coplanaire InP ; où via une méthodologie que nous avons cherché à systématiser (notamment pour les conditions d'égalité et de faible variation des délais de groupe), sont réalisés des amplificateurs large bande avec Fc=92GHz et entre autres, un produit gain-bande à l'état de l'art de 410 GHz. Au delà des problèmes posés par la technologie coplanaire tels que les discontinuités de masse et la nécessité de préserver le mode de propagation coplanaire, elle ouvre de nouvelles possibilités telles que des lignes artificielles d'entrée/sortie à longueurs identiques, et permet une compacité plus élevée que celle des techniques micro-ruban. Les limites de l'amplification différentielle sont ensuite investies et repoussées, en proposant une structure innovante : la paire différentielle distribuée ; alliant ainsi le fonctionnement à courant constant du mode différentiel (donc avec un degré de liberté supplémentaire, pour le potentiel DC en sortie), à l'aspect large bande du distribué. Des amplificateurs avec 4 Vpp en sortie à 40 Gbit/s ont ainsi été réalisés en pHEMT GaAs. Ce résultat, permettrait à terme, l'élimination des capacités de passage dans les modules driver et la conception de drivers de modulateur mono-puce. |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| Externí odkaz: |
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