Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
Autor: | De Santi, C., Buffolo, M., Rossetto, I., Bordignon, T., Brusaterra, E., Caria, A., Chiocchetta, F., Favero, D., Fregolent, M., Masin, F., Modolo, N., Nardo, A., Piva, F., Rampazzo, F., Sharma, C., Trivellin, N., Zhan, G., Meneghini, M., Zanoni, E., Meneghesso, G. |
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Zdroj: | In e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy 2021 1 |
Databáze: | ScienceDirect |
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