Nanoscopic analysis of rapid thermal annealing effects on InGaN grown over Si(111)
Autor: | Martínez-Revuelta, Rubén, Hernández-Gutiérrez, Carlos A., Escobosa-Echavarría, A., Vargas Carosi, Beatriz, Peiró, Francesca, López-López, Máximo |
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Zdroj: | In Materials Science in Semiconductor Processing December 2024 184 |
Databáze: | ScienceDirect |
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