Nanoscopic analysis of rapid thermal annealing effects on InGaN grown over Si(111)

Autor: Martínez-Revuelta, Rubén, Hernández-Gutiérrez, Carlos A., Escobosa-Echavarría, A., Vargas Carosi, Beatriz, Peiró, Francesca, López-López, Máximo
Zdroj: In Materials Science in Semiconductor Processing December 2024 184
Databáze: ScienceDirect