Radiation hardness of Czochralski silicon, Float Zone silicon and oxygenated Float Zone silicon studied by low energy protons
Autor: | Härkönen, J. *, Tuovinen, E., Luukka, P., Tuominen, E., Lassila-Perini, K., Mehtälä, P., Nummela, S., Nysten, J., Zibellini, A., Li, Z., Fretwurst, E., Lindstroem, G., Stahl, J., Hönniger, F., Eremin, V., Ivanov, A., Verbitskaya, E., Heikkilä, P., Ovchinnikov, V., Yli-Koski, M., Laitinen, P., Pirojenko, A., Riihimäki, I., Virtanen, A. |
---|---|
Zdroj: | In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 2004 518(1):346-348 |
Databáze: | ScienceDirect |
Externí odkaz: |