Synaptic potentiation and depression in Al:HfO2-based memristor

Autor:	Covi, E., Brivio, S., Fanciulli, M., Spiga, S.
Zdroj:	In Microelectronic Engineering 1 November 2015 147:41-44
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect