High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl
| Autor: | Via, F. La, Galvagno, G., Roccaforte, F., Giannazzo, F., Franco, S. Di, Ruggiero, A., Reitano, R., Calcagno, L., Foti, G., Mauceri, M., Leone, S., Pistone, G., Portuese, F., Abbondanza, G., Abbagnale, G., Veneroni, A., Omarini, F., Zamolo, L., Masi, M., Valente, G.L., Crippa, D. |
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| Zdroj: | In Microelectronic Engineering 2006 83(1):48-50 |
| Databáze: | ScienceDirect |
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