Use of a capacitance voltage technique to study copper drift diffusion in (porous) inorganic low- k materials

Autor:	Lanckmans, F. ∗, Maex, K.
Zdroj:	In Microelectronic Engineering 2002 60(1):125-132
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect