Trap-assisted tunnelling in ion-implanted n-Si/SiO2 structures

Autor:	Gushterov, A. *, Simeonov, S.
Zdroj:	In Vacuum 5 November 2004 76(2-3):315-318
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect