Photocurrent spectroscopy of GaN and AlGaN epilayers grown on 6H (0001) silicon carbide

Autor: DeVittorio, M., Coli', G., Rinaldi, R., Gigli, G., Cingolani, R., De Salvador, D., Berti, M., Drigo, A., Fucilli, F., Ligonzo, T., Augelli, V., Rizzi, A., Lantier, R., Freundt, D., Luth, H., Neubauer, B., Gerthsen, D.
Zdroj: In Solid State Electronics 2000 44(3):465-470
Databáze: ScienceDirect