FDSOI bottom MOSFETs stability versus top transistor thermal budget featuring 3D monolithic integration

Autor:	Fenouillet-Beranger, C., Previtali, B., Batude, P., Nemouchi, F., Cassé, M., Garros, X., Tosti, L., Rambal, N., Lafond, D., Dansas, H., Pasini, L., Brunet, L., Deprat, F., Grégoire, M., Mellier, M., Vinet, M.
Zdroj:	In Solid State Electronics November 2015 113:2-8
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect