Evaluation of hot-electron effects on critical parameter drifts in power RF LDMOS transistors

Autor:	Belaïd, M.A., Daoud, K.
Zdroj:	In Microelectronics Reliability 2010 50(9):1763-1767
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect