Introduction of crystalline high- k gate dielectrics in a CMOS process

Autor: Gottlob, H.D.B., Lemme, M.C., Mollenhauer, T., Wahlbrink, T., Efavi, J.K., Kurz, H., Stefanov, Y., Haberle, K., Komaragiri, R., Ruland, T., Zaunert, F., Schwalke, U.
Zdroj: In Journal of Non-Crystalline Solids 2005 351(21):1885-1889
Databáze: ScienceDirect