Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
| Autor: | Hospodková, Alice, Hájek, František, Hubáček, Tomáš, Gedeonová, Zuzana, Hubík, Pavel, Mareš, Jiří J., Pangrác, Jiří, Dominec, Filip, Kuldová, Karla, Hulicius, Eduard |
|---|---|
| Zdroj: | In Journal of Crystal Growth 1 March 2023 605 |
| Databáze: | ScienceDirect |
| Externí odkaz: |
|
Full Text from ScienceDirect