Growth of GaN epilayers on c-, m-, a-, and (20.1)-plane GaN bulk substrates obtained by ammonothermal method
| Autor: | Rudziński, M., Kudrawiec, R., Janicki, L., Serafinczuk, J., Kucharski, R., Zając, M., Misiewicz, J., Doradziński, R., Dwiliński, R., Strupiński, W. |
|---|---|
| Zdroj: | In Journal of Crystal Growth 2011 328(1):5-12 |
| Databáze: | ScienceDirect |
| Externí odkaz: |
|
Full Text from ScienceDirect