LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide: application to HEMT devices

Autor:	di Forte Poisson, M.-A. *, Magis, M., Tordjman, M., Aubry, R., Sarazin, N., Peschang, M., Morvan, E., Delage, S.L., di Persio, J., Quéré, R., Grimbert, B., Hoel, V., Delos, E., Ducatteau, D., Gaquiere, C.
Zdroj:	In Journal of Crystal Growth 2004 272(1):305-311
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect