Influence of low-temperature interlayers on strain and defect density of epitaxial GaN layers

Autor: Rossow, U. *, Hitzel, F., Riedel, N., Lahmann, S., Bläsing, J., Krost, A., Ade, G., Hinze, P., Hangleiter, A.
Zdroj: In Journal of Crystal Growth 2003 248:528-532
Databáze: ScienceDirect