Temperature and electric field dependence of hopping transport in ion-implanted Si:As : Chen Gang, H. D. Koppen, R. W. van der Heijden, A. T. A. M. de Waele and H. M. Ginjsman. Solid St. Commun.72(2), 173 (1989)

Zdroj:	In Microelectronics Reliability 1990 30(5):1017-1017
Databáze:	ScienceDirect
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu