Constructing Built-In Electric Fields with Semiconductor Junctions and Schottky Junctions Based on Mo–MXene/Mo–Metal Sulfides for Electromagnetic Response

Autor:	Xiaojun Zeng, Xiao Jiang, Ya Ning, Yanfeng Gao, Renchao Che
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2024
Předmět:	Semiconductor–semiconductor–metal heterostructure Semiconductor junctions Mott–Schottky junctions Built-in electric field Electromagnetic wave absorption Technology
Zdroj:	Nano-Micro Letters, Vol 16, Iss 1, Pp 1-21 (2024)
Druh dokumentu:	article
ISSN:	2311-6706 2150-5551
DOI:	10.1007/s40820-024-01449-7
Popis:	Highlights Mo–MXene/Mo–metal sulfides with semiconductor junctions and Mott–Schottky junctions are designed. Built-in electric field are constructed in semiconductor–semiconductor–metal heterostructure, enhancing dielectric polarization and impedance matching. Density functional theory calculations and Radar cross-section simulations confirmed the excellent electromagnetic wave absorption ability of heterostructures.
Databáze:	Directory of Open Access Journals
Externí odkaz:	https://doaj.org/article/bd384f3973ca41a09ed61ebe7a79d22f Zobrazit plný text záznamu View record in DOAJ Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.