| Autor: |
Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев |
| Jazyk: |
English<br />Russian |
| Rok vydání: |
2023 |
| Předmět: |
|
| Zdroj: |
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023) |
| Druh dokumentu: |
article |
| ISSN: |
1606-867X |
| DOI: |
10.17308/kcmf.2023.25/11476 |
| Popis: |
Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для создания высококачественных p-n-гетеропереходов с корундоподобным оксидом галлия (a-Ga2O3). При изготовлении гетероструктуры использовались два метода выращивания из газовой фазы (CVD). Слой a-Cr2O3 толщиной ~ 0.2 мкм был выращен на сапфировой подложке (0001) с использованием метода ультразвукового осаждения мелкодисперсного аэрозоля (mist-CVD) при температуре 800 °C. Обнаружено, что полученный слой обладает высокой морфологической однородностью и низкой шероховатостью, что приемлемо для дальнейших эпитаксиальных процессов. В дальнейшем слой a-Ga2O3, легированный Sn, толщиной ~ 1.5 мкм был выращен на слое a-Cr2O3 с использованием метода гидридной парофазной эпитаксии (HVPE) при 500 °C. Показана возможность изготовления данной гетероструктуры с заданной толщиной слоя и приемлемой морфологией поверхности методами CVD |
| Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|
