Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям

Autor:	Iryna Petrivna Baida, Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov, Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk, Volodymyr Ivanovych Tymofieiev
Jazyk:	English<br />Ukrainian
Rok vydání:	2019
Předmět:	механізми розсіювання сплавний потенціал часи релаксації субмікронні гетероструктурні транзистори квантові ями Electronics TK7800-8360
Zdroj:	Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 2 (2019)
Druh dokumentu:	article
ISSN:	2523-4455 2523-4447
DOI:	10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269
Popis:	У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено методики моделювання наногетероструктур з урахуванням квантових ефектів та специфічних для потрійних сполук механізмів розсіяння. На основі системи релаксаційних рівнянь проведено моделювання субмікронних гетероструктур з квантовими ямами. При моделюванні, крім оптичних, акустичних, міждолинних і домішкових механізмів розсіяння, враховано розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі. Розраховано часи релаксації для розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі і враховано вплив на полешвидкісні і вихідні характеристики субмікронного гетероструктурного транзистора. Бібл. 13, рис. 19.
Databáze:	Directory of Open Access Journals
Externí odkaz:	https://doaj.org/article/9b669b746fc64c66b8bb404814520a73 Zobrazit plný text záznamu View record in DOAJ