| Autor: |
Вачаган Тигранович Аванесян |
| Jazyk: |
angličtina |
| Rok vydání: |
2023 |
| Předmět: |
|
| Zdroj: |
Physics of Complex Systems, Vol 4, Iss 2 (2023) |
| Druh dokumentu: |
article |
| ISSN: |
2687-153X |
| DOI: |
10.33910/2687-153X-2023-4-2-68-74 |
| Popis: |
В исследованных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) обнаружен эффект влияния модификации на характер температурной зависимости электропроводности. Величина последней увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны и, соответственно, с увеличением энергии активации. Указанная энергия коррелирует с изменением высоты потенциального барьера на контакте между металлом и халькогенидным стеклообразным полупроводником для различных составов материалов As2Se3 и As2S3. Отмечена существенная роль одиночной пары электронов, принадлежащей атомам модифицирующей примеси. Пара электронов отвечает за реализацию неупорядоченной и дефектной структуры, а также за формирование энергетической системы локальных состояний, оказывающих влияние на процесс переноса носителей заряда. |
| Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|
