Understanding Defect-Mediated Ion Migration in Semiconductors using Atomistic Simulations and Machine Learning

Autor: Md Habibur Rahman, Maitreyo Biswas, Arun Mannodi-Kanakkithodi
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2024
Předmět:
Zdroj: ACS Materials Au, Vol 4, Iss 6, Pp 557-573 (2024)
Druh dokumentu: article
ISSN: 2694-2461
DOI: 10.1021/acsmaterialsau.4c00095
Databáze: Directory of Open Access Journals