| Autor: |
Çiğdem Şükriye Güçlü, Ahmet Faruk Özdemir, Durmuş Ali Aldemir |
| Jazyk: |
English<br />Turkish |
| Rok vydání: |
2019 |
| Předmět: |
|
| Zdroj: |
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi, Vol 7, Iss 3, Pp 2142-2155 (2019) |
| Druh dokumentu: |
article |
| ISSN: |
2148-2446 |
| DOI: |
10.29130/dubited.544197 |
| Popis: |
Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. İdealite faktörü (n=1,48), sıfır beslem engel yüksekliği ( b0=0,72 eV), seri direnç (Rs=2,02 k) gibi temel diyot parametreleri I-V verileri kullanılarak elde edildi. Ayrıca engel yüksekliği ve katkılama yoğunluğu (ND) değerleri 1kHz-3MHz frekans aralığında C-V ölçümlerinden belirlendi. I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen b değerleri karşılaştırıldı. Her iki yöntemden elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı olgusuna ve geleneksel I-V ve C-V yöntemlerinin farklı tabiatına atfedildi. |
| Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|
