| Autor: |
Santiago Décima, Eliseo Narciso Díaz, Ana Silvina Fuentes, Francisco Ángel Filippin |
| Jazyk: |
English<br />Spanish; Castilian<br />Portuguese |
| Rok vydání: |
2022 |
| Předmět: |
|
| Zdroj: |
Tecnología y Ciencia, Iss 45, Pp 14-30 (2022) |
| Druh dokumentu: |
article |
| ISSN: |
1666-6933 |
| DOI: |
10.33414/rtyc.45.14-30.2022 |
| Popis: |
El estudio de la interfase semiconductor/electrolito tiene aplicaciones en la producción de celdas solares fotoelectroquímicas. Las propiedades semiconductoras de un semiconductor de tipo n pueden ser evaluadas mediante el modelo de Mott-Schottky cuando se lo pone en contacto con un electrolito. El titanio (Ti) es un metal que presenta una película de óxido espontánea, dióxido de titanio (TiO2), la cual puede ser crecida por anodización. En este trabajo se crecieron anódicamente películas de óxido de Ti, sobre los sustratos vidrio/Ti y chapa de Ti, y se aplicó el modelo de Mott-Schottky para evaluar sus propiedades semiconductoras en contacto con una solución de 0,5 M de HClO4 a temperatura ambiente. Bajo las condiciones descritas en este trabajo, los electrodos vidrio/Ti/TiO2 y chapa de Ti/TiO2 presentan el comportamiento de un semiconductor de tipo n con una concentración de donadores del orden de y , respectivamente. Las películas de óxido fueron estables antes y después de los experimentos. |
| Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|
